Search
三星決心GAA搶先台積電推出 但良率是利潤關鍵
三星電子宣佈，作為下世代半導體製程的核心，將提前實現 GAA（Gate all around）技術商業化。三星電子計劃從明年 (2022) 開始將 GAA 應用於 3 奈米製程；台積電預計 2023 年於 2 奈米採用 GAA 技術。
但是，三星晶圓代工難超越台積電，目前台積電晶圓代工市場佔有率 53.9%、三星僅 17.4%。然而，從 GAA 專利技術開發來看，2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利有 31.4% 來自台積電，三星電子則占 20.6%。
GAA 技術的關鍵是將在半導體內部充當「電流開關」的電晶體的結構從 3D（FinFET）改為 4D（GAA）。三星電子稱，在 2019 年曾與客戶進行 3 奈米 GAA 製程設計工具測試顯示，GAA 技術將晶片面積減少了 45%，並將能源效率提高了 50%。
雖然，三星電子決心要趕在台積電前，將新一代 3 奈米 GAA 製程技術商業化。然而，晶圓代工良率才是企業利潤的關鍵。.....
#今日頭條
#三星 大動作投資 2000 億美元，再次上演叫陣 #台積電 戲碼。不過半導體業者表示，三星 #3奈米 GAA 預計明年量產，其實已較既定時程延遲，但不論何時推出，台積電持續沿用 FinFET 架構的 3 奈米製程，即可 #輕鬆應戰。
【集邦論時事】三星成功流片 3 奈米 GAA 製程
#TrendForce 指出，隨著半導體製程技術漸達物理極限，晶片製造需依靠晶體管架構、後端封裝技術或材料開發等方面尋求突破，以提高性能或降低功耗。
三星與台積電是目前唯一擁有半導體先進製程技術的代工廠，預計將在 2022下半年進行 3 奈米製程技術的量產，其中，三星將率先採用 GAAFET 技術，而台積電則是延續使用 FinFET 技術生產。
根據我們觀察，在第一波 3 奈米產品中，台積電將主要生產 HPC 的應用晶片，而三星則將專注在智慧型手機應用領域。
Samsung ra mắt Galaxy S10+ phiên bản Olympic: Giới hạn 1000 chiếc, giá 23.3 triệu đồng
Galaxy S11 sẽ đi kèm chip siêu đỉnh, Samsung còn muốn hơn nữa
Realme C2 về Việt Nam, giá dưới 3 triệu đồng
Công ty Hàn Quốc hiện đang trong quá trình chuyển sang dây chuyền sản xuất chip 7nm dựa trên kỹ thuật in khắc EUV (Extreme Ultra-Violet) cho các phiên bản Exynos tiếp theo. Nhưng sau đó, Samsungcó vẻ như muốn tiến xa hơn nữa bằng việc sản xuất chip 3nm trong tương lai, và xen giữa đó là công nghệ chip 5nm. Quay trở lại cách đây vài năm, một kỹ sư của Samsung là Kinam Kim đã xác nhận tại một Hội nghị chuyên dụng rằng “không có khó khăn cơ bản nào cho quá trình tiến đến 5nm”. Tuy nhiên, quá trình phát triển này của Samsung đã không theo ý muốn của công ty.Mặc dù vậy, với quy trình 3nm Gate-All-Surround (GAA), hoặc 3GAE, Samsung tin rằng họ có khả năng thu nhỏ kích thước hơn nữa cho công nghệ chip di động. Điều này là khá ấn tượng khi nó sẽ được áp dụng một cách rộng rãi trong các ứng dụng thế hệ tiếp theo như di động, mạng, xe thông minh, trí tuệ nhân tạo (AI) và Internet vạn vật (IoT).Quá trình thực hiện đang diễn ra nhanh hơn dự kiến, vì Samsung có thể chia sẻ cùng các cơ sở sản xuất chip FinFET hiện có của mình, giúp giảm thời gian phát triển. Bộ công cụ thiết kế quy trình (PDK) cho 3GAE đã được phát hành vào tháng 4 để khách hàng bắt đầu làm việc sớm với kiến trúc của họ. Nhưng trước tiên, Samsung sẽ sản xuất chip 6nm vào cuối năm nay, sau đó là 5nm vào nửa đầu năm 2020 - đúng thời điểm cho Galaxy S11 xuất hiện. Không dừng lại ở đó, quá trình phát triển chip 4nm sẽ kết thúc trong năm nay để triển khai sản xuất vào nửa cuối năm 2020, trong khi chip 3nm mang tính cách mạng có thể sẽ được thiết kế dành riêng cho Galaxy Note 11.
Nhận mã Giảm giá: http://bit.ly/mc_voucher
Kênh công nghệ, Review điện thoại của MobileCity:
Website: https://mobilecity.vn
Hotline: 0969.120120
Những nội dung chính của kênh:
- Hỏi đi đáp luôn công nghệ (Phát hàng ngày).
- Mở hộp đánh giá nhanh điện thoại: iPhone, Samsung, Xiaomi ...
- So sánh hiệu năng giữa những điện thoai hot nhất hiện nay.
- Tư vấn chọn mua điện thoại trong tầm giá: 3tr, 4tr, 5tr ...
- Giải đáp những thắc mắc về MobileCity.
Cám ơn Quý khách đã đồng hành và ủng hộ MobileCity.
#mobilecity
#dien_thoai_xiaomi
台積電3奈米架構沿用FinFET，首席科學家黃漢森揭背後決策｜數位時代2020年4月30日· 台積電終於在第二季法說會上公布3奈米的架構，將不同於三星所採用的GAA、而是沿用原 ... ... <看更多>
— Samsung Electronics laid out plans to bring to mass production in 2021 the architectural successor to FinFETS, gate-all-around (GAA) transistors, at the 3nm ... ... <看更多>
gaa finfet 在 finfet gaa比較在PTT/Dcard完整相關資訊 - 數位感 的推薦與評價
台積電3奈米架構沿用FinFET，首席科學家黃漢森揭背後決策｜數位時代2020年4月30日· 台積電終於在第二季法說會上公布3奈米的架構，將不同於三星所採用的GAA、而是沿用原 ... ... <看更多>